我國半導體產業(yè)發(fā)展步入“新常態(tài)”
目前全球半導體技術發(fā)展正處于變革升級的重要節(jié)點。隨著基于硅的制程工藝日漸逼近所謂物理極限,基于砷化鎵,以及碳化硅和氮化鎵的第二、三代半導體技術正蓬勃興起。
其中,以碳化硅材料作為第三代半導體原料,是目前半導體界公認的一種具有較高開發(fā)潛力的新式半導體材料,屬于典型寬禁帶半導體,與其他材料相比具有很多優(yōu)秀的物理特性。
碳化硅與硅、砷化鎵、氮化鎵等其他半導體材料相比更具有以下優(yōu)點:1、碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄,開態(tài)電阻小。2、碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。3、碳化硅具有高熱導率。4、碳化硅器件可工作在高溫,碳化硅器件已有工作在600℃的報道,而硅器件的最大工作溫度僅為150℃。5、碳化硅具有很高的抗輻照能力。6、碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小,可靠性好。7、碳化硅器件具有很好的反向恢復特性,反向恢復電流小,開關損耗小。
此文關鍵字:碳化硅
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