碳化硅如何實現(xiàn)比硅更好的熱管理?
另一個重要參數(shù)是熱導率,它是半導體如何散發(fā)其產(chǎn)生的熱量的指標。如果半導體不能有效散熱,則器件可以承受的最大工作電壓和溫度會受到限制。這是碳化硅優(yōu)于硅的另一個領域:碳化硅的導熱率為1490W/mK,而硅的導熱率為150W/mK。
相關資訊
最新產(chǎn)品
同類文章排行
- 國內碳化硅功率器件離正式量產(chǎn)還有一段距離
- 國內碳化硅外延的難點
- 國內碳化硅襯底的難點
- 碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢
- 三種生長SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點
- 碳化硅晶圓生產(chǎn)用高純碳化硅粉制備方法
- 碳化硅粉在碳化硅晶圓生產(chǎn)中的應用
- 碳化硅功率器件的多功能集成封裝技術和散熱技術介紹
- 碳化硅功率器件的高溫封裝技術介紹
- 碳化硅功率器件的低雜散電感封裝技術介紹