金蒙碳化硅作為半導體材料制成的功率器件的特點
眾所周知,碳化硅是目前半導體界公認的一種具有較高開發(fā)潛力的新式半導體材料。金蒙新材料公司所生產(chǎn)的碳化硅微粉屬于典型寬禁帶半導體,與其他材料相比具有很多優(yōu)秀的物理特性。
大家通常認識一般就是碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶), 達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3 倍,高達3.2MV/cm.,其導熱率是硅的3.3倍,為 49w/cm.k。
碳化硅與硅半導體材料一樣,可以制成結型器件、場效應器件和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。
但除此之外,其更具有以下優(yōu)點:
1、碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄,開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻,碳化硅功率器件的正向損耗小。
2、碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場 而具有高的擊穿電壓。例如,商用的硅肖特基的電壓小于300V,而第一個商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。
3、碳化硅有高的熱導率,因此碳化硅功率器件有低的結到環(huán)境的熱阻。
4、碳化硅器件可工作在高溫,碳化硅器件已有工作在600℃的報道,而硅器件的最大工作溫度僅為150℃。
5、碳化硅具有很高的抗輻照能力。
6、碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間的變化很小,可靠性好。
7、碳化硅器件具有很好的反向恢復特性,反向恢復電流小,開關損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。
8、碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻。
此文關鍵字:碳化硅
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