固態(tài)超高頻碳化硅感應加熱電源項目
相比目前固態(tài)感應加熱電源使用的硅MOSFET,碳化硅功率器件具有寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率等優(yōu)點,且門極驅動功率小,在高溫、高頻和大功率場合應用有明顯優(yōu)勢;碳化硅功率器件在電力電子產(chǎn)品中的應用已成為當今的研究熱點,其優(yōu)良的特性使固態(tài)感應加熱電源的工作頻率得到大幅度提升。研發(fā)頻率高于1MHz的固態(tài)超高頻碳化硅感應加熱電源,使固態(tài)感應加熱電源的工作頻率范圍大幅度提高,可滿足半導體區(qū)熔加熱、精密金屬器件熱處理等高端領域的應用,且能耗更小,效率更高,基本實現(xiàn)零污染排放。
采用碳化硅MOSFET器件實現(xiàn)超高頻碳化硅MOSFET逆變功率單元,每個單元功率為50KW,多個功率單元可并聯(lián)組成大功率設備;固態(tài)碳化硅超高頻設備工作頻率在1MHz以上,大功率輸出,可滿足精密熱處理行業(yè)使用要求;固態(tài)碳化硅超高頻設備采用智能數(shù)字化逆變控制技術,使用先進的DSP+FPGA處理器架構,滿足對超高頻設備的控制要求。
此文關鍵字:碳化硅
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