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聯(lián)系金蒙新材料
- 阻礙SiC陶瓷燒結(jié)的因素[ 12-30 14:34 ]
- SiC的構(gòu)成單元為Si與C原子比為1:1的正四面體，在SiC晶格中，Si與C之間的平均鍵能為300kJ/mol，共價(jià)鍵與離子鍵比值約為4:1，這使得其難以燒結(jié)成致密陶瓷。阻礙SiC陶瓷燒結(jié)的因素有以下兩個(gè)方面： ①熱力學(xué)方面 SiC的晶界能較高，粉體顆粒表面能相對(duì)較低，SiC陶瓷燒結(jié)推動(dòng)力低，燒結(jié)難度增大。目前可通過(guò)引入燒結(jié)助劑、選用納米級(jí)原料細(xì)粉及施加外部壓力的方式來(lái)促進(jìn)燒結(jié)。 ②動(dòng)力學(xué)方面 SiC晶格原子間的鍵能使得物質(zhì)遷移所需能量高，物質(zhì)難以擴(kuò)散，而蒸發(fā)—凝聚傳質(zhì)至少需要蒸
- 中科鋼研高純碳化硅項(xiàng)目及高端裝備項(xiàng)目開(kāi)工[ 12-21 10:07 ]
- 12月18日，中科鋼研高純碳化硅粉和智能高端裝備制造項(xiàng)目開(kāi)工儀式在山東菏澤舉行。 據(jù)悉，集中開(kāi)工的兩個(gè)項(xiàng)目采用國(guó)際一流標(biāo)準(zhǔn)，建設(shè)智能高端裝備和高純碳化硅粉新材料兩個(gè)“總部+生產(chǎn)+研發(fā)”三合一項(xiàng)目，投資額均超過(guò)10億元。早前披露信息顯示，2018年開(kāi)工總投資10億元的山東萊西中科鋼研半導(dǎo)體項(xiàng)目預(yù)計(jì)年內(nèi)投產(chǎn)，全部達(dá)產(chǎn)可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)5萬(wàn)片4英寸碳化硅晶體襯底片、5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。菏澤項(xiàng)目無(wú)疑是該項(xiàng)目原料就近供給的有力支撐。 中科鋼研擁有先進(jìn)的4／8英寸升華法碳
- SiC反向恢復(fù)時(shí)間與Si MOSFET相比如何？[ 12-20 14:43 ]
- SiCMOSFET與其硅對(duì)應(yīng)物一樣，具有內(nèi)部體二極管。體二極管提供的主要限制之一是不希望的反向恢復(fù)行為，當(dāng)二極管關(guān)斷同時(shí)承載正正向電流時(shí)會(huì)發(fā)生這種情況。因此，反向恢復(fù)時(shí)間(trr)成為定義MOSFET特性的重要指標(biāo)。圖2顯示了1000V基于Si的MOSFET和基于SiC的MOSFET的trr之間的比較?？梢钥闯?，SiCMOSFET的體二極管非常快：trr和Irr的值小到可以忽略不計(jì)，能量損失Err大大降低。
- 碳化硅如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理？[ 12-20 14:41 ]
- 另一個(gè)重要參數(shù)是熱導(dǎo)率，它是半導(dǎo)體如何散發(fā)其產(chǎn)生的熱量的指標(biāo)。如果半導(dǎo)體不能有效散熱，則器件可以承受的最大工作電壓和溫度會(huì)受到限制。這是碳化硅優(yōu)于硅的另一個(gè)領(lǐng)域：碳化硅的導(dǎo)熱率為1490W/mK，而硅的導(dǎo)熱率為150W/mK。
- 為什么SiC在高頻下的表現(xiàn)優(yōu)于IGBT？[ 12-20 14:39 ]
- 在大功率應(yīng)用中，過(guò)去主要使用IGBT和雙極晶體管，目的是降低高擊穿電壓下出現(xiàn)的導(dǎo)通電阻。然而，這些設(shè)備提供了顯著的開(kāi)關(guān)損耗，導(dǎo)致發(fā)熱問(wèn)題限制了它們?cè)诟哳l下的使用。使用碳化硅可以制造肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET等器件，實(shí)現(xiàn)高電壓、低導(dǎo)通電阻和快速運(yùn)行。
